在N區(qū)兩側(cè)擴散兩個P+區(qū)，形成兩個PN結(jié)。兩個P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。
導電原理：
(1)VGS=0時，N型棒體導電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大。
(2)VGS<0時，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。
當VGS
加上負VGS電壓和VDS電壓以后，VGD的負壓比VGS大，所以，二個反偏PN結(jié)的空間電荷區(qū)變得上寬下窄，使溝道形成楔形。
JFET通過VGS改變半導體內(nèi)耗盡層厚度(溝道的截面積)控制iD，稱為體內(nèi)場效應(yīng)器件;MOSFET主要通過改變襯底表層溝道的厚度來控制iD，稱為表面場效應(yīng)器件。
JFET的伏安特性(以N溝道JFET為例)：伏安特性曲線和電流方程與耗盡型MOSFET相似。但VGS必定要反向偏置。
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產(chǎn)企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產(chǎn)品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經(jīng)理給您精準的報價以及產(chǎn)品介紹
聯(lián)系號碼：18923864027（同微信）
QQ：709211280