三極管分為NPN型和PNP型，常用的為NPN型，以下都以NPN型為例。
三極管有三個電極，發射極、基極、集電極，分別位于發射區、基區、集電區。發射區為高摻雜濃度N硅，基極為很薄的P硅，集電區為摻雜濃度較低的N硅，這種結構為三極管能夠起到放大作用的基礎。
圖中以共基極為例，輸入電路為Vee，輸出電路為Vcc，通常Vee接有模擬信號源作為輸入，通過三極管放大后由Vcc輸出。
想要使三極管起到放大效果，需要使發射結正偏，集電結反偏。即電子由高摻的發射區擴散到基區，形成電流Ien，部分電子在P型的基區與空穴復合形成復合電流Ibn，同時基區的空穴也向發射區擴散，由于發射區電子摻雜濃度高且較厚，擴散過來的空穴基本全部與電子復合形成復合電流Iep。而擴散到基區電子，在外加電場與載流子濃度差的作用下，很容易穿過基區并到達集電區，形成擴散電流Icn。同時，由于基區與集電區的PN結反偏，在內建電場的作用下發生少子的漂移，形成漂移電流Icbo。
各電流關系如圖中所寫。
放大系數
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